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JSM-7200F高速分析熱場發射電鏡產品介紹：
JSM-7200F是日本電子株式會社(JEOL Ltd.)于2015年推出的一款多功能、簡單易用的分析型場發射掃描電鏡，這款高分辨率掃描電鏡是進行樣品納米級圖像顯微分析與微區化學成分分析的理想選擇。
通過光闌角控制透鏡技術，JSM-7200F可以在任意加速電壓下實現小束斑尺寸的大分析束流進而可以輕松實現100nm以內的高空間分辨率分析。
JSM-7200F/LV配有大樣品倉，非常適合于搭載的能譜儀、波譜儀、EBSD相機、CL陰極發光探測器、拉伸臺、EBL以及SXES（JEOLzhuan利技術，通過探測低能量的波長從而獲得樣品的化學價態信息）等分析探測器。同時，JSM-7200F具有抽屜式樣品倉可以安裝諸如加熱、拉伸以及冷凍樣品臺進行原位分析。
JSM-7200F高速分析熱場發射電鏡特點：
浸沒式肖特基電子槍
浸沒式肖特基場發射電子槍為日本電子的zhuan利技術，通過對電子槍和低像差聚光鏡進行優化，能有效利用從電子槍中發射的電子，即使電子束流很大也能獲得很細的束斑。因而可以實現高通量分析（EDS、WDS面分析、EBSD分析等）。
TTLS（through-the-lens系統）
TTLS（through-the-lens系統）是利用GB(Gentle Beam 模式）在低加速電壓下能進行高分辨率觀察和信號選擇的系統。 利用GB（Gentle Beam 模式）通過給樣品加以偏壓，對入射電子有減速、對樣品中發射出的電子有加速作用，即使在低加速電壓（入射電壓）下，也能獲得信噪比良好的高分辨率圖像。
此外，利用安裝在TTLS的能量過濾器過濾電壓，可以調節二次電子的檢測量。這樣在極低加速電壓的條件下，用高位檢測器（UED）就可以只獲取來自樣品淺表面的大角度背散射電子。因過濾電壓用UED沒有檢測出的低能量電子，可以用高位二次電子檢測器（USD，選配件）檢測出來，因此JSM-7200F能同時獲取二次電子像和背散射電子像。
混合式物鏡（電磁場疊加）
JSM-7200F的物鏡采用了本公司新開發的混合式透鏡。
這種混合式透鏡是組合了磁透鏡和靜電透鏡的電磁場疊加型物鏡，比傳統的out-lens像差小，能獲得更高的空間分辨率。 JSM-7200F仍然保持了out-lens的易用性，所以可以觀察和分析磁性材料樣品。
JSM-7200F高速分析熱場發射掃描電子顯微鏡規格：
| JSM-7200F | SM-7200F/LV | |
| 分辨率 | 1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV) | 1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV)，1.8nm (30kV, LV ) |
| 放大倍率 | ×10～×1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30～×3,000,000(1280 x 960pixels display); | |
| 加速電壓 | 0.01kV～30kV | |
| 束流 | 1pA～300nA | |
| 自動光闌角zei佳控制透鏡ACL | 內置 | |
| 大景深模式 | 內置 | |
| 檢測器 | 高位檢測器(UED)、低位檢測器(LED) | |
| 樣品臺 | 5軸馬達驅動樣品臺 | |
| 樣品移動范圍 | X：70mm Y：50mm Z：2mm～41mm 傾斜－5～＋70° 旋轉360° | |
| 低真空范圍 | - | 10pa～300pa |
主要選配件：
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可插拔式背散射電子探頭（RBED）
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高位二次電子探頭（USD）
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低真空二次電子探頭（LV-SED）
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能譜儀（EDS)
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波譜儀（WDS）
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電子背散射衍射系統（EBSD)
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陰極熒光系統（CLD）
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樣品臺導航系統（SNS）
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電子束曝光系統
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